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硅晶圆二氧化碳雪清洗，CO2干冰雪花清洁技术
在硅晶圆的前道工艺和后道工艺中，硅晶圆需要经过多次的清洗步骤。对于清洗而言，困难在于如何做到提供充足的化学反应或物理力从而去除颗粒污染的同时，尽量少的除去源漏极的硅或隔离槽的SiO2，还不增加表面粗糙度，不损伤已有的门电极。
模拟粒子（sio2粒子1μm）清洗示例
在附着SIO2粒子的8inch晶圆上
采用干冰微粒清洗技术对硅片进行清洗效果十分理想，而且对硅片表面无损害，不会污染环境，是一种理想的清洗技术。
但是往往会把以上工艺误解为干冰颗粒清洗技术，其实是雪花清洗，全称 液体二氧化碳清洗。相对于干冰颗粒清洗，雪花清洗更柔和。
它是利用二氧化碳的特性，将液态二氧化碳进行加压，在固液零界点进行释放，在喷嘴端形成雪花装的干冰，CO2 雪射流中的干冰颗粒直径为 1 至 200 µm。平均直径取决于使用的喷嘴和使用的设置参数。由于二氧化碳雪粒的尺寸很小，因此可以清洁结构精细的表面和小孔。
所以我们称它为雪花清洗，它和干冰清洗相比，减少了制冰的设备。
特别的雪花清洗的喷嘴设计，使得运行稳定，不堵塞，清洗能力强，无间隔等特点，特别适合半导体部件的外表面清洗。
在国内，连接器插件、图像感应器、PCB板、MEMS芯片、光芯片、硅片、晶圆、掩模基板等重要的产品表面逐渐使用雪花清洗进行产品的清洁。
对于硅片、晶圆等外表面，复杂外表面清洗效果特别好。
雪花清洗设备具提升效率，成本低，流量稳定，节能等优点，集成全自动控制系统，设计全新的喷嘴，解决了以往项目中遇到的一些问题，优化了控制系统，可与机器人实现模拟量通讯，在线调节清洗参数，可清洗更为复杂的产品表面。
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